Cluster Metallisierung High Efficiency
Selbstjustierende Selective Emitter Lösung
RENA Selective Emitter Lösung in nur zwei Schritten:
Erster Schritt: Die RENA SelectDop LCP, die eine Reihe präziser flüssigkeitsstrahlgeführter Laser für die lokale n-Dotierung (20 Ohm/sq) nutzt und dabei gleichzeitig die schadenfreie SiN Ablation ermöglicht.
Zweiter Schritt: Die RENA InCellPlate für den nachfolgenden selbstjustieren Plating Prozess (Ni/Ag oder Ni/Cu/Ag).
Vorteile im Überblick
- Wirkungsgradsteigerung absolut: ~1 % auf mono Si
- Ablation und Selektive Emitter Dotierung in einem einzigen Prozessschritt
- Präzisionsbearbeitung der Kontaktlinien ohne Unterbrechungen
- Schnelle Diffusion ohne thermischen Schaden
- Einfache Integration in den selbstjustierenden Selective Emitter Prozess
- Siebdruck-Equipment für Vorderseitenmetallisierung wird vollständig ersetzt und steht dadurch für die nächste Linie zur Verfügung
- Selbstjustierende Metallisierung mit Ni und Ag Plating
- Gute Haftung der galvanisierten Metallschichten
